双端口存储器，某内存单元的当前内容为55H，左端口试图向该内存单元写入AAH，右端口试图同时向该内存单元写入FFH，本次读写周期过后，若BusyR#变为高电平，BusyL#变为低电平，则结果该内存单元的内容应该为（）。