半导体物理章节练习(2017.10.31)

单项选择题
下面说法正确的是（）
A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高
问答题
半导体的简并化判据
答案：Ec-Ef<=0
问答题
写出半导体的电中性方程，此方程在半导体中有何重要意义？
答案：
电子浓度等于空穴浓度。
意义：平衡状态下半导体体内是电中性的。
问答题
如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？
答案：
费米能级深入到导带或者价带中
填空题
两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
答案：正；相等
单项选择题
同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
问答题
为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？
答案：
因为金是深能级杂质，能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级，因此，金在硅锗的禁带往往能引入若干个能级。
问答题
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
答案：
费米能级降低了。
费米能级在本征费米能级以上。
问答题
有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说："有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄.是否如此，为什么？
答案：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效...
单项选择题
锗的晶格结构和能带结构分别是（）
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型