半导体物理章节练习(2018.11.19)

来源：考试资料网

1.填空题两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

2.问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m^*_n=0.015m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能，
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

3.问答题漂移运动和扩散运动有什么不同？两者之间有什么联系？

参考答案：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定...

4.问答题求室温下掺锑的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

5 对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）

6.问答题光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？

参考答案：光学波散射：弹性散射，散射前后电子能量基本不变。主要在离子性晶体中起作用
声学波散射：非弹性散射，散射前后电子...

7.问答题光电导灵敏度与光电导增益因子

参考答案：光电导灵敏度：单位光照度所引起的光电导
增益因子：铜一种材料由于结构不同，可以产生不同的光电导效果，用增益因子...

8.名词解释受主能级

参考答案：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级...

9 如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（）。

10 锗的晶格结构和能带结构分别是（）