集成电路工艺原理章节练习(2018.12.02)

来源：考试资料网

1.判断题传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。

2.问答题简述MCM的测试技术？

参考答案：测试费用高：高测试费用提醒设计者在做设计决策时必须仔细考虑测试问题。一种新设计的MCM所要进行的测试比一种成熟的MCM测...

3.问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

参考答案：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能...

4.名词解释饱和蒸气压

在一定的温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固态或液态平衡时所表现出来的压力。

5.名词解释光刻三要素

光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶。

6.填空题CZ直拉法的目的是（）。

参考答案：实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中

7.问答题测试过程4要素？

参考答案：检测：确定被测器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。
诊断：识别表现于DUT的特定故障。
器件特...

8.判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

9.判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。

10.名词解释Fabless

IC设计公司，只设计不生产。