微电子学章节练习(2018.12.15)

来源：考试资料网

1.问答题21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？

参考答案：特征尺寸继续等比例缩小；
集成电路（IC.将发展成为系统芯片（SOC））；
微电子技...

2.问答题SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析。

参考答案：直流分析：典型的是求解直流转移特性（.DC），输入加扫描电压或电流，求输出和其他节点（元件连接处）电压或支路电流；还有....

3.填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4.问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。

参考答案：1.极紫外光刻技术（EUV）
2.离子束投影光刻技术（IPL）
3.角度限制投影电子束光刻技术（SC...

5.名词解释SOC

参考答案：片上系统，也称作系统级芯片。英文System on a Chip的缩写。即将一个系统的多个部分集成在一个芯片上，能够完成...

6.填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

参考答案：从发射结渡越到集电结所需要的平均时间；2

7.填空题晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

参考答案：功率增益；带宽

8.问答题描述场氧化层及其厚度范围。

参考答案：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层
范围：2500~12000 * 10^-10（A...

9.问答题解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？

参考答案：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1

10.问答题陈述软烘的4个原因。

参考答案：1.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除；
2.增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好地粘附；
3.缓...