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章节练习
半导体物理章节练习(2019.03.15)
来源:考试资料网
1
下面说法正确的是()
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2.名词解释
受主能级
参考答案:
通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下,此能级为空穴所占据,这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级...
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3.问答题
试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。
参考答案:
经典:电子在运动中和晶格或者杂质离子发生碰撞导致载流子速度的大小和方向发生了改变。
量子理论:电子波仔半导体传...
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4.问答题
说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
参考答案:
迁移率随温度的升高逐渐降低
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5.问答题
已知N
D
=1.69×10
18
cm
3
,计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离?导带中电子浓度为多少?
参考答案:
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6
在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和()有关
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7
如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是()。
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8.名词解释
直接复合
参考答案:
导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。
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9.名词解释
受主能级
参考答案:
被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级
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10
如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
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