微电子学章节练习(2019.03.18)

来源：考试资料网

1.判断题对于发光二极管，其内量子效率比外量子效率小。

2.填空题在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。

3.判断题微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。

4.问答题什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？

参考答案：电路模拟：根据电路的拓扑结构和元件参数将电路问题转换成适当的数学方程并求解，根据计算结果检验电路设计的正确性。

5.名词解释SOC

参考答案：片上系统，也称作系统级芯片。英文System on a Chip的缩写。即将一个系统的多个部分集成在一个芯片上，能够完成...

6.问答题解释晶体晶向对氧化物生长的影响。

参考答案：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率...

7.名词解释“掺杂”

在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。

8.问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。

光刻区，刻蚀区和离子注入区

9.填空题双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。

10.问答题砷化镓相对于硅的优点是什么？

参考答案：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。