集成电路工艺原理章节练习(2019.04.21)

填空题
湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。
答案：选择比高；工艺简单；各向同性；线条宽度难以控制
判断题
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
答案：错误
填空题
影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
答案：拉伸速率；晶体旋转速率
判断题
传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
答案：错误
填空题
制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是（）、（）和（）。
答案：电阻薄膜层光刻；高层绝缘层光刻；互连金属层光刻
问答题
简述MCM的组装技术？
答案：MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。在MCM基础上设计的与外...
填空题
制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。
答案：第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间介质刻蚀
填空题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
答案：涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶
名词解释
沟道效应
答案：
离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。
判断题
旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
答案：正确