集成电路工艺原理章节练习(2019.04.21)

来源：考试资料网

1.填空题湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。

参考答案：选择比高；工艺简单；各向同性；线条宽度难以控制

2.判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

3.填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

参考答案：拉伸速率；晶体旋转速率

4.判断题传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。

5.填空题制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是（）、（）和（）。

参考答案：电阻薄膜层光刻；高层绝缘层光刻；互连金属层光刻

6.问答题简述MCM的组装技术？

参考答案：MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。在MCM基础上设计的与外...

7.填空题制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。

参考答案：第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间介质刻蚀

8.填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

参考答案：涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶

9.名词解释沟道效应

离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。

10.判断题旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。