集成电路制造工艺员（三级）章节练习(2019.05.04)

A.源蒸气
B.杂质和惰性气体混合物
C.水蒸气和杂志混合物
D.杂质、惰性气体、水蒸气混合物

A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝结
D.缝道填补

A.二次电子
B.二次中子
C.二次质子
D.无序离子

A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加

A.晶圆顶层的保护层
B.多层金属的介质层
C.多晶硅与金属之间的绝缘层
D.掺杂阻挡层
E.晶圆片上器件之间的隔离

A.3
B.4
C.5
D.6

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD

A.鸟嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位错