半导体物理章节练习(2019.05.10)

来源：考试资料网

1.填空题对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

参考答案：温度；禁带宽度

2.问答题试指出空穴的主要特征。

空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：

3.问答题简述动态门电路解决电荷再分配的方法。

参考答案：①使MOS管电路中总的内部节点电容应小于一个限定的值，输出电容Co和内部电容Ci的比值至少应为10：1，使的输出电压不可...

4 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

5.问答题简述隐埋层杂质的选择原则。

参考答案：①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；
②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距...

6.问答题对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。

参考答案：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主体作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的...

7 金属和半导体接触分为（）。

8.问答题掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

9 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）

10 重空穴是指（）