A.刻蚀 B.氧化 C.淀积 D.光刻
A.ARC可以是硅的氮化物 B.可用干法刻蚀除去 C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成
A.真空蒸发 B.离子束蒸发 C.电子束蒸发 D.粒子束蒸发 E.常压蒸发
A.洛仑兹力 B.反向的电场力 C.库仑力 D.重力
A.单晶硅 B.多晶硅 C.硅化金属 D.二氧化硅 E.氮化硅
A.刻蚀速率 B.刻蚀深度 C.移除速率 D.刻蚀时间
A.乙醇 B.HCL C.H2SO4 D.HNO3