电子技术章节练习(2020.04.14)

来源：考试资料网

1.问答题 试分析题图所示时序电路的逻辑功能，写出电路的激励方程、状态转移方程和输出方程，画出状态转移图，说明电路是否具有自启动特性。

2.问答题 电路如图所示，设U_i=10V，R=10kΩ。若直流电源U_i变化±1V时，问相应的输出电压U_o将如何变化？

3.问答题一线圈接在120V的直流电源上，流过的电流为20A，若接在220V，50HZ的交流电源上，流过的电流为22A，求线圈的电阻R和电感L。

4.判断题在二极管的半波整流电路中，加电容C滤波后，二极管承受的最高反向电压值与不加电容滤波时一样。

5.问答题 电路如图所示，稳压管DZ的稳定电压VZ=8V，限流电阻R=3kΩ，设vI=vi=15sinωtV，试画出vo的波形。

参考答案：0vI≥Vz时，DZ反向击穿，vo=8V；
-0.7VvI≤-0.7V时，DZ正向导通，vo=-0...

6 在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P型半导体。

7.判断题若放大电路的负载固定，为使其电压增益稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。

8.填空题场效应管与晶体管相比较，其输入电阻；Nf（）；温度稳定性（）；饱和压降（）；放大能力（）；频率特性（）；输出功率（）。

参考答案：高；小；大；弱；差；小

9.问答题已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K_P＝0.2mA／V²，V_P＝0.5V，i_D＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压v_GS和漏源电压v_DS等于多少？

10.判断题反相比例运算器的输入信号与其输出信号反相。