问答题

现有(DS)=2000H ,(BX)=0100H,(SI)=0002H,(20100H)=12H,(20101H)=34H,(20102H)=56H,(20103H)=78H,(21200H)=2AH,(21201H)=4CH,(21202H)=0B7H,(21203H)=65H,说明下列指令执行后AX寄存器的内容。  
(1)MOV  AX,1200H 
(2)MOV  AX,BX  
(3)MOV AX,[1200H]  
(4)MOV  AX,[BX] 
(5)MOV  AX,1100H[BX]  
(6)MOV  AX,[BX][SI]  
(7)MOV  AX,1100H[BX][SI]


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6.单项选择题SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的。 

A.双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷
B.内部熔丝是否断开和双稳态触发器
C.极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷
D.极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态

9.单项选择题存储周期指的是()。 

A.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔
B.存储器的读出周期
C.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
D.存储器的写入周期