无机化学无机固体化学填空题每日一练(2018.12.28)

填空题
GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。
答案：p；n
填空题
受X射线辐照过的KCl晶体是（）型；Li0.05Cu0.95O是（）型；WO2.999是（）型。
答案：n；p；n
填空题
VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。
答案：阳离子和阴离子部位上的空位缺陷(Schottky缺陷)
填空题
ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
答案：n；p
填空题
砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。
答案：n