半导体物理问答题每日一练(2019.03.21)

问答题
为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？
答案：
硅的禁带宽度比锗大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。
问答题
试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。
答案：经典：电子在运动中和晶格或者杂质离子发生碰撞导致载流子速度的大小和方向发生了改变。
量子理论：电子波仔半导体传...
问答题
PN结电容的起源（扩散电容和势垒电容）
答案：pn结的电容来源主要有势垒电容和扩散电容：
（1）势垒电容：当pn结加正向电压时，势垒区的电场将随正向偏压的增...
问答题
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
答案：
问答题
简述什么是MIS结构，并简单介绍MIS器件的功能。
答案：MIS结构是指金属-绝缘层-半导体结构。
假若绝缘体层的厚度足够大，则基本上不导电，这时即为MIS电容器；