锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，...

问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m^*_n=0.015m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能，
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

1.问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

2.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_v（k）分别为：

（1）禁带宽度；
（2）导带底电子有效质量；
（3）价带顶电子有效质量；
（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

3.问答题以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

4.问答题简述效质量m*的引入意义

5.问答题简述金属导体与半导体，绝缘体与半导体，导电机理主要不同之处

6.判断题在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。

7.判断题在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

8.判断题N型半导体的费米能级在本征费米能之上。

9.单项选择题在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）

A.1.74%
B.2.74%
C.3.74%
D.4.74%

10.单项选择题当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

A.1
B.1/2
C.1/3
D.2/3