单项选择题PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
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1.单项选择题NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
2.单项选择题NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
3.单项选择题NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
4.单项选择题PNP型晶体管中,N型区是()
A.基区
B.集电区
C.发射区
D.外壳
5.单项选择题NPN型晶体管中,N型区是()
A.集电区、基区
B.基区、发射区
C.集电区、发射区
D.集电区、基区、发射区
6.单项选择题三极管工作时,有()种载流子参与导电。
A.1
B.2
C.3
D.4
7.单项选择题关于三极管下列说法中正确的是()
A.发射区掺杂浓度较小
B.基区很厚,掺杂多
C.集电结比发射结面积积小且掺杂少
D.以上说法均不对
8.单项选择题根据PN结排列方式的不同,晶体三极管可以分为()两种类型。
A.NPN和PNP
B.NNP和PNP
C.NPN和PNN
D.NPN和PPN
9.单项选择题三极管内有()个PN结。
A.1
B.2
C.3
D.4
10.单项选择题()内部空穴数量多于自由电子数量。
A.本征半导体
B.P型半导体
C.N型半导体
D.杂质半导体
最新试题
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
某三极管的IB=20μA时,IE=0.9mA,则它的电流放大系数β=()
题型:单项选择题
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发射极电压为-1V,集电极电压为-5V,则该管为()
题型:单项选择题
NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE<VC<VB,则三极管工作在()区。
题型:单项选择题
负载线是一条描述()的曲线。
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
题型:单项选择题
NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
三极管正常工作时,几乎相等的两种电流是()
题型:单项选择题
已知某三极管的射极电流IE=1.36mA,集电极电流IC=1.33mA,则基极电流IB=()
题型:单项选择题