（）内部空穴数量多于自由电子数量。

单项选择题（）内部空穴数量多于自由电子数量。

A.本征半导体
B.P型半导体
C.N型半导体
D.杂质半导体

1.单项选择题以下关于扩散电流的描述中，错误的是（）

A.由浓度差引起的载流子的定向运动而产生
B.是半导体特有的一种电流
C.半导体处于热平衡状态时不存在
D.浓度梯度越小，扩散电流越大

2.单项选择题以下关于漂移电流的描述中，错误的是（）

A.是在外电场作用下产生的载流子的定向运动
B.是半导体特有的电流
C.迁移率越高，漂移电流越大
D.电导率越高，漂移电流越大

3.单项选择题半导体器件受温度影响较大的主要原因是（）

A.多子浓度对温度敏感
B.少子浓度对温度敏感
C.多子浓度对掺杂敏感
D.少子浓度对掺杂敏感

4.单项选择题杂质半导体中，温度升高，多子浓度（），少子浓度（）

A.显著增加，显著增加
B.近似不变，显著增加
C.近似不变，近似不变
D.显著减少，近似不变

5.单项选择题杂质半导体中，掺杂越多，多子（），少子（）

A.越多，越多
B.越多，不变
C.越多，越少
D.越少，越少

6.单项选择题杂质半导体中，掺杂浓度（）热平衡载流子浓度。

A.远高于
B.远低于
C.近似等于
D.以上都不对

7.单项选择题光照增强，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

A.升高，减弱
B.降低，减弱
C.升高，增强
D.降低，增强

8.单项选择题温度降低，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

A.升高，减弱
B.降低，增强
C.升高，增强
D.降低，减弱

9.单项选择题本征半导体中自由电子-空穴成对消失的过程称为（）

A.本征激发
B.复合
C.漂移
D.扩散

10.单项选择题碳化硅属于第（）代半导体。

A.1
B.2
C.3
D.4