杂质半导体中，掺杂越多，多子（），少子（）

单项选择题杂质半导体中，掺杂越多，多子（），少子（）

A.越多，越多
B.越多，不变
C.越多，越少
D.越少，越少

1.单项选择题杂质半导体中，掺杂浓度（）热平衡载流子浓度。

A.远高于
B.远低于
C.近似等于
D.以上都不对

2.单项选择题光照增强，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

A.升高，减弱
B.降低，减弱
C.升高，增强
D.降低，增强

3.单项选择题温度降低，本征半导体的载流子浓度（），导电能力（）

A.升高，减弱
B.降低，增强
C.升高，增强
D.降低，减弱

4.单项选择题本征半导体中自由电子-空穴成对消失的过程称为（）

A.本征激发
B.复合
C.漂移
D.扩散

5.单项选择题碳化硅属于第（）代半导体。

A.1
B.2
C.3
D.4

6.单项选择题砷化镓属于第（）代半导体。

A.1
B.2
C.3
D.4

7.单项选择题硅、锗属于第（）代半导体。

A.1
B.2
C.3
D.4

8.单项选择题在二极管的结构中，连接N型半导体的引线称（）

A.A极
B.K极
C.正极
D.阳极

9.单项选择题二极管加正向电压的方法是（）

A.直流电源的正端接二极管的阳极，负端接二极管的阴极
B.直流电源的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极
C.交流电源的正端接二极管的正极，负端接二极管的负极
D.交流电源的正端接二极管的负极，负端接二极管的正极

10.单项选择题二极管最基本的结构是（）

A.P型半导体
B.PN结
C.阴极
D.引线