NPN型三极管工作在截止状态时，要求发射结（），集电结（）

单项选择题NPN型三极管工作在截止状态时，要求发射结（），集电结（）

A.正偏，反偏
B.反偏，正偏
C.正偏，正偏
D.反偏，反偏

1.单项选择题NPN型三极管工作在饱和状态时，要求发射结（），集电结（）

A.正偏，反偏
B.反偏，正偏
C.正偏，正偏
D.反偏，反偏

2.单项选择题NPN型三极管工作在放大状态时，要求发射结（），集电结（）

A.正偏，反偏
B.反偏，正偏
C.正偏，正偏
D.反偏，反偏

3.单项选择题PNP型晶体管中，N型区是（）

A.基区
B.集电区
C.发射区
D.外壳

4.单项选择题NPN型晶体管中，N型区是（）

A.集电区、基区
B.基区、发射区
C.集电区、发射区
D.集电区、基区、发射区

5.单项选择题三极管工作时，有（）种载流子参与导电。

A.1
B.2
C.3
D.4

6.单项选择题关于三极管下列说法中正确的是（）

A.发射区掺杂浓度较小
B.基区很厚，掺杂多
C.集电结比发射结面积积小且掺杂少
D.以上说法均不对

7.单项选择题根据PN结排列方式的不同，晶体三极管可以分为（）两种类型。

A.NPN和PNP
B.NNP和PNP
C.NPN和PNN
D.NPN和PPN

8.单项选择题三极管内有（）个PN结。

A.1
B.2
C.3
D.4

9.单项选择题（）内部空穴数量多于自由电子数量。

A.本征半导体
B.P型半导体
C.N型半导体
D.杂质半导体

10.单项选择题以下关于扩散电流的描述中，错误的是（）

A.由浓度差引起的载流子的定向运动而产生
B.是半导体特有的一种电流
C.半导体处于热平衡状态时不存在
D.浓度梯度越小，扩散电流越大