单项选择题半导体器件受温度影响较大的主要原因是()
A.多子浓度对温度敏感
B.少子浓度对温度敏感
C.多子浓度对掺杂敏感
D.少子浓度对掺杂敏感
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题杂质半导体中,温度升高,多子浓度(),少子浓度()
A.显著增加,显著增加
B.近似不变,显著增加
C.近似不变,近似不变
D.显著减少,近似不变
2.单项选择题杂质半导体中,掺杂越多,多子(),少子()
A.越多,越多
B.越多,不变
C.越多,越少
D.越少,越少
3.单项选择题杂质半导体中,掺杂浓度()热平衡载流子浓度。
A.远高于
B.远低于
C.近似等于
D.以上都不对
4.单项选择题光照增强,本征半导体的载流子浓度(),导电能力()
A.升高,减弱
B.降低,减弱
C.升高,增强
D.降低,增强
5.单项选择题温度降低,本征半导体的载流子浓度(),导电能力()
A.升高,减弱
B.降低,增强
C.升高,增强
D.降低,减弱
6.单项选择题本征半导体中自由电子-空穴成对消失的过程称为()
A.本征激发
B.复合
C.漂移
D.扩散
7.单项选择题碳化硅属于第()代半导体。
A.1
B.2
C.3
D.4
8.单项选择题砷化镓属于第()代半导体。
A.1
B.2
C.3
D.4
9.单项选择题硅、锗属于第()代半导体。
A.1
B.2
C.3
D.4
10.单项选择题在二极管的结构中,连接N型半导体的引线称()
A.A极
B.K极
C.正极
D.阳极
最新试题
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发射极电压为-1V,集电极电压为-5V,则该管为()
题型:单项选择题
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题
处于饱和状态的晶体管可通过()鉴别。
题型:单项选择题
某三极管的IB=20μA时,IE=0.9mA,则它的电流放大系数β=()
题型:单项选择题
若三极管VBE>0,VBE<VCE,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB>VC>VE,则三极管可能工作在()区。
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
α是()的比值。
题型:单项选择题
锗三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
题型:单项选择题