单项选择题NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
A.断开
B.相对发射极为负
C.相对集电极为正
D.相对发射极为正
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1.单项选择题PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
2.单项选择题PNP型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
3.单项选择题PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
4.单项选择题NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
5.单项选择题NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
6.单项选择题NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏
7.单项选择题PNP型晶体管中,N型区是()
A.基区
B.集电区
C.发射区
D.外壳
8.单项选择题NPN型晶体管中,N型区是()
A.集电区、基区
B.基区、发射区
C.集电区、发射区
D.集电区、基区、发射区
9.单项选择题三极管工作时,有()种载流子参与导电。
A.1
B.2
C.3
D.4
10.单项选择题关于三极管下列说法中正确的是()
A.发射区掺杂浓度较小
B.基区很厚,掺杂多
C.集电结比发射结面积积小且掺杂少
D.以上说法均不对
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对于NPN型三极管,当VBE=0时,VBE<VCE,则该管的工作状态是()
题型:单项选择题
I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
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NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
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PNP型晶体管中,N型区是()
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处于饱和状态的晶体管可通过()鉴别。
题型:单项选择题
温度降低时,三极管的β值(),集电结反向饱和电流ICBO()
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PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
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PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
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负载线是一条描述()的曲线。
题型:单项选择题
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题