单项选择题NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()

A.断开
B.相对发射极为负
C.相对集电极为正
D.相对发射极为正


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1.单项选择题PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

2.单项选择题PNP型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

3.单项选择题PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

4.单项选择题NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

5.单项选择题NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

6.单项选择题NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()

A.正偏,反偏
B.反偏,正偏
C.正偏,正偏
D.反偏,反偏

7.单项选择题PNP型晶体管中,N型区是()

A.基区
B.集电区
C.发射区
D.外壳

8.单项选择题NPN型晶体管中,N型区是()

A.集电区、基区
B.基区、发射区
C.集电区、发射区
D.集电区、基区、发射区

10.单项选择题关于三极管下列说法中正确的是()

A.发射区掺杂浓度较小
B.基区很厚,掺杂多
C.集电结比发射结面积积小且掺杂少
D.以上说法均不对