集成电路技术判断题每日一练(2019.11.01)

判断题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
答案：正确
判断题
西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
答案：正确
判断题
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
答案：正确
判断题
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
答案：错误
判断题
连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体。
答案：错误