集成电路工艺原理名词解释每日一练(2020.04.22)

即间隙式杂质，如Na，K，Pb，Ca，Ba，Al等。

使胶膜完全溶解所需最小的曝光量。

是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术。

加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（衬底）表面，凝结形成固态薄膜。

就是快速退火，即降低退火温度，或者缩短退火时间完成退火。