集成电路工艺原理问答题每日一练(2020.06.02)

问答题
硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？
答案：（1）更大直径硅片有更大的表面积做芯片，能够减少硅片的浪费。
（2）每个硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处...
问答题
版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？
答案：DRC：检查版图中同层、不同层间图形的线宽、间距是否满足工艺的最小尺寸要求。
ERC：检查版图中是否存在开路、短...
问答题
什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
答案：沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范...
问答题
试画出MOS器件跨导与源漏电压的函数曲线。
答案：
问答题
IC制造中常采用什么方法形成金属层？它的作用是什么？
答案：金属层的形成主要采用物理汽相沉积（Pysical Vapor Deposition，简称PVD）技术...