•建立浓度差 •杂质扩散至合适的结深 •杂质与硅原子成键
最新试题
CMP的设备构成包括()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
光刻工艺的设备核心是()。
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
芯片粘接的工艺过程包括()。
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个?()
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物?()