单项选择题下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）
A.饱和区
B.非饱和区
C.截止区
D.击穿区
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1.单项选择题若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）
A.硅材料NPN管
B.硅材料PNP管
C.锗材料NPN管
D.锗材料PNP管
2.单项选择题P型半导体中的多数载流子是指（）
A.自由电子
B.空穴
C.自由电子—空穴对
D.等离子
3.单项选择题希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压，应引入（）负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
4.单项选择题共射基本放大电路中，若测得VCEQ=VCC，则可以判断三极管处在（）
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态
5.单项选择题差分放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益（）
A.增加一倍
B.为双端输入时的1/2
C.不变
D.不确定
6.单项选择题MOS场效应管的高频小信号电路模型，适合分析下列哪种情况（）
A.输入信号很大
B.输出信号很大
C.输入输出信号都很大
D.输入输出信号都很小
7.单项选择题场效应管本质上是一个（）
A.电流控制电流源器件
B.电压控制电流源器件
C.电流控制电压源器件
D.电压控制电压源器件
8.单项选择题三极管工作在饱和区，要求（）
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
9.单项选择题衡量双极型三极管放大能力的参数是（）
A.ICBO
B.β
C.ICEO
D.VBE（on）
10.单项选择题当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）
A.雪崩击穿
B.齐纳击穿
C.热击穿
D.碰撞击穿
