某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

单项选择题某场效应管的I_DSS为6mA，而I_DQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道增强型MOS管

1.单项选择题根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。

A.电压控制电压源
B.电流控制电压源
C.电压控制电流源
D.电流控制电流源

2.单项选择题晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）

A.饱和区
B.截止区
C.放大区
D.击穿区

3.单项选择题测得三极管I_B=30μA时，I_C=2.4mA，而I_B=40μA时，I_C=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（）

A.80
B.60
C.75
D.100

4.单项选择题稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在（）状态。

A.反向截止
B.反向击穿
C.正向导通
D.零偏

5.单项选择题半导体中的载流子是指（）

A.自由电子
B.空穴
C.离子
D.自由电子和空穴

6.填空题为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻（）

7.填空题需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入（）负反馈电路。

8.填空题已知某晶体三极管的高频参数f_T、β，则共基截止频率f_a约为（）

9.填空题三种晶体三极管基本组态放大电路中，（）组态输入电阻最小。

10.填空题通常将开始形成反型层所需的V_GS值称为（）电压。