通常将开始形成反型层所需的VGS值称为（）电压。

填空题通常将开始形成反型层所需的V_GS值称为（）电压。

1.填空题场效应管工作在非饱和区时，其I_D和V_DS之间呈（）关系。

2.填空题晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和（）结反向偏置。

3.填空题在P型半导体中，导电时以（）为主。

4.单项选择题已知某负反馈放大电路的R_f=0.01，A_f=10，则可断定该电路的A约为（）

A.10
B.11
C.12
D.13

5.单项选择题下列哪种情况不是集成运算放大器的特点（）

A.电压增益无穷大
B.输入电阻无穷大
C.输出电阻无穷大
D.共模抑制比无穷大

6.单项选择题下列哪种情况不是场效应管的正常工作区（）

A.饱和区
B.非饱和区
C.截止区
D.击穿区

7.单项选择题若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V，5.3V和10V，则该管一定是（）

A.硅材料NPN管
B.硅材料PNP管
C.锗材料NPN管
D.锗材料PNP管

8.单项选择题P型半导体中的多数载流子是指（）

A.自由电子
B.空穴
C.自由电子—空穴对
D.等离子

9.单项选择题希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压，应引入（）负反馈。

A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联

10.单项选择题共射基本放大电路中，若测得V_CEQ=V_CC，则可以判断三极管处在（）

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态