单项选择题已知某负反馈放大电路的Rf=0.01,Af=10,则可断定该电路的A约为()

A.10
B.11
C.12
D.13


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1.单项选择题下列哪种情况不是集成运算放大器的特点()

A.电压增益无穷大
B.输入电阻无穷大
C.输出电阻无穷大
D.共模抑制比无穷大

2.单项选择题下列哪种情况不是场效应管的正常工作区()

A.饱和区
B.非饱和区
C.截止区
D.击穿区

3.单项选择题若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V,5.3V和10V,则该管一定是()

A.硅材料NPN管
B.硅材料PNP管
C.锗材料NPN管
D.锗材料PNP管

4.单项选择题P型半导体中的多数载流子是指()

A.自由电子
B.空穴
C.自由电子—空穴对
D.等离子

5.单项选择题希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压,应引入()负反馈。

A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联

6.单项选择题共射基本放大电路中,若测得VCEQ=VCC,则可以判断三极管处在()

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态

7.单项选择题差分放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益()

A.增加一倍
B.为双端输入时的1/2
C.不变
D.不确定

8.单项选择题MOS场效应管的高频小信号电路模型,适合分析下列哪种情况()

A.输入信号很大
B.输出信号很大
C.输入输出信号都很大
D.输入输出信号都很小

9.单项选择题场效应管本质上是一个()

A.电流控制电流源器件
B.电压控制电流源器件
C.电流控制电压源器件
D.电压控制电压源器件

10.单项选择题三极管工作在饱和区,要求()

A.发射结正偏,集电结正偏
B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏