A.位移电流是由变化电场产生的
B.位移电流是由变化磁场产生的
C.位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律
D.位移电流的磁效应不服从安培环路定理
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A.H只与传导电流有关
B.在弱磁质中，不论是抗磁质还是顺磁质，B与H的方向总是相同
C.当传导电流分布对称时，可以由安培定律计算磁介质中的磁场
D.以上说法都不正确
半径为R的圆形平行板电容器接在角频率为的简谐交流电路中，极板上电荷
，则电容器极板间的位移电流ID为（）
A.
B.
C.
D.
A.比真空的磁导率略小
B.比真空的磁导率略大
C.远小于真空的磁导率
D.远大于真空的磁导率
如图，MN代表两磁介质边界，边界上没有传导电流，则（）
A.
B.
C.
D.
A.安培力做正功，系统磁能增加
B.安培力做负功，系统磁能减小
C.安培力做正功，系统磁能降低
D.安培力做负功，系统磁能增加
如图所示中一均匀磁化的环形永磁体，磁化强度为M，环内的磁场强度为H1。若把环割出一很小的气隙，气隙中的磁场强度为H2，则（）
A.
B.
C.
D.
A.μ0H＝B
B.μ0H＞B
C.μ0H＜B
D.μ0H＝B＝0
A.二管内的磁场能量密度w大＞w小
B.二管内的磁场能量密度w小＞w大
C.二管内的磁场能量密度w大＝w小
D.无法判断
A.远离线圈A
B.靠近线圈A
C.运动方向不确定，与线圈A中脉冲电流方向有关
如图所示，长度为l的直导线ab在均匀磁场B中以速度v移动，直导线ab中的电动势为（）
A.Blv
B.Blv sin
C.Blv cos
D.0
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温度升高，导致自由电子与金属晶格中的正离子碰撞加剧，使电导率值变小。
涡流在导体中的透入深度与涡流激励信号的强度和导体的电磁特性有关，与涡流频率无关。
在检查铁磁性材料的缺陷时，常用直流磁化的方法将铁磁性材料磁化到饱和区，使磁导率的变化向等于1的渐近线趋近，故可作为非铁磁性材料来对待。
石墨材料具有一定的导电能力，与硅、锗元素同属半导体，但是不能采用涡流技术检测石墨及其复合材料制品。
附图中，M、P、O为由软磁材料制成的棒，三者在同一平面内，当K闭合后，（）。
两种铁磁性物质组成固溶体时，它们饱和磁化强度的随着固溶体的浓度增加而单调增加。
多相合金的居里点和相的成分有关，合金中有几个铁磁相，相应的就有几个居里点。
涡流检测中放置式线圈受到提离效应和边缘效应的影响，对穿过式线圈则没有影响。
阻抗Z 的实部R 称为电阻，Z 的虚部X 称为感抗。
非铁磁性材料也存在磁滞现象相，但要比铁磁材料小得多。