A. E正比于f
B. E反比于q0
C. E正比于f且反比于q0
D.电场强度E是由产生电场的电荷所决定的，不以试验电荷q0及其受力的大小决定
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A.试验电荷是电量极小的正电荷
B.试验电荷是体积极小的正电荷
C.试验电荷是体积和电量都极小的正电荷
D.试验电荷是电量足够小，以至于它不影响产生原电场的电荷分布，从而不影响原电场
棒状发射天线，其上的传导电流为
，下述哪一种表述是不正确的。（）
A.天线顶端一定存在电荷
B.天线周围一定存在位移电流
C.位移电流与导线上的自由电荷无任何关系
D.以上表述都对
A.涡旋电场、磁感应强度在闭合曲面上的通量恒为零
B.在任意条件下，涡旋电场线始终闭合
C.在任意条件下，传导电流密度在闭合曲面上的通量不为零
D.某一矢量在闭合曲面上的通量为零，表明该矢量线闭合
A.变化的电场产生的磁场，一定也变化
B.变化的磁场产生的电场，一定也变化
C.有电流就有磁场，无电流就一定无磁场
D.变化的电场产生的磁场，磁场不一定变化
A.位移电流是由变化电场产生的
B.位移电流是由变化磁场产生的
C.位移电流的热效应服从焦耳-楞次定律
D.位移电流的磁效应不服从安培环路定理
A.H只与传导电流有关
B.在弱磁质中，不论是抗磁质还是顺磁质，B与H的方向总是相同
C.当传导电流分布对称时，可以由安培定律计算磁介质中的磁场
D.以上说法都不正确
半径为R的圆形平行板电容器接在角频率为的简谐交流电路中，极板上电荷
，则电容器极板间的位移电流ID为（）
A.
B.
C.
D.
A.比真空的磁导率略小
B.比真空的磁导率略大
C.远小于真空的磁导率
D.远大于真空的磁导率
如图，MN代表两磁介质边界，边界上没有传导电流，则（）
A.
B.
C.
D.
A.安培力做正功，系统磁能增加
B.安培力做负功，系统磁能减小
C.安培力做正功，系统磁能降低
D.安培力做负功，系统磁能增加
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铁磁性圆柱试件和非铁磁性圆柱试件半径的变化在复阻抗平面上的效应方向是一致的。
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