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问答题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

能带顶部空穴的有效质量m_p^*

参考答案：

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1.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带底部电子的有效质量m_n^*

参考答案：

2.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
电子在波矢k状态时的速度

参考答案：

3.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
能带宽度

参考答案：

4.问答题 一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求
布里渊区边界

参考答案：

5.问答题分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

参考答案：

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图所示：

6.问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

参考答案：

7.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

参考答案：

8.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子有效质量

参考答案：

9.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

导带底电子有效质量

参考答案：

10.问答题已知N_D=1.69×10¹⁸cm³，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

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