布里渊区边界_考试资料网

问答题

一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求

布里渊区边界

参考答案：

1.问答题分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图所示：

2.问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

3.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

4.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

价带顶电子有效质量

5.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_V（k）分别为：

导带底电子有效质量

6.问答题已知N_D=1.69×10¹⁸cm³，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

7.问答题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

8.问答题 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×10¹⁵cm^-3，计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

9.问答题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

10.问答题试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？