0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出...

问答题0.12kg的Si单晶掺有3.0×10^-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm³，Sb的原子量为121.8）

1.问答题何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？

迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。

2.问答题对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。

3.问答题某掺施主杂质的非简并Si样品，试求E_F=（E_C+E_D）/2时施主的浓度

4.问答题Si样品中的施主浓度为4.5×10¹⁶cm^-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？

5.问答题试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。

6.问答题含受主浓度为8.0×10⁶cm^-3和施主浓度为7.25×10¹⁷cm^-3的Si材料，试求温度分别为300K和400K时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。

7.问答题若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×10¹⁰cm^-3和6.8×10¹⁶cm^-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×10¹⁶cm^-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？

8.问答题何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

9.问答题深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？

深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。
浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。

10.问答题两性杂质和其它杂质有何异同？