以下不属于成分过冷理论局限的是（）。

单晶硅中掺杂硼可以形成P型半导体，根据单晶成分和晶体特征分类，P型半导体属于哪一类？（）

关于非均匀形核，以下说法错误的是（）。

下列哪项针对气体雾化法描述是错误的？（）

晶核长大的机制不包括（）。

低压铸造方法适合铸造（）。

利用双流浇注半连续铸造装置生产梯度材料材料的基本原理是在传统的半连续铸造基础上增加（）。

在平界面凝固条件下，界面处液体内实际温度梯度应（）液相熔点温度分布的梯度。

设在液相没有对流只有扩散的情况下，δN趋于无穷大，结晶温度间隔越大，“成分过冷”的倾向越大则（）。

（）不是热型连续铸造法的基本凝固方式。