简述各类MOS单级放大电路的特点。_考试资料网

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问答题 简述各类MOS单级放大电路的特点。

参考答案：

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1.问答题简述存储器的分类及组成。

参考答案：

2.问答题简述传输门电路主要类型。

参考答案：NMOS型、全传输门型、CMOS型、PMOS上拉管型。

3.问答题简述动态门电路解决电荷再分配的方法。

参考答案：①使MOS管电路中总的内部节点电容应小于一个限定的值，输出电容Co和内部电容Ci的比值至少应为10：1，使的输出电压不可...

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4.问答题考虑一个电阻负载反相器电路：V_DD=5V，K_N`=20uA/V₂ ，V_T0=0.8V，R_L=200KΩ，W/L=2。计算V_TC曲线上的临界电压值（V_OL、V_OH、V_IL、V_IH）及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。

参考答案：

5.名词解释CE理论

参考答案：器件尺寸可以减小寄生电容和沟道长度，从而改善电路的性能和集成度。MOS器件尺寸缩小后，会引入一系列的端沟道和窄沟道效应。...

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6.名词解释噪声容限

参考答案：

是指与输入输出特性密切相关的参数。通常用低噪声容限和高噪声容限来确定。

7.问答题简述CMOS反相器功耗的组成。

参考答案：由动态功耗P_D和静态功耗P_s组成；
①动态功耗：开关瞬态电流造成的...

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8.问答题什么是有比反相器和无比反相器？

参考答案：①有比反相器在输出低电平时，驱动管和负载管同时导通，其输出低电平由驱动管的导通电阻R_ON和负载管的...

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9.问答题简述CMOS反相器设计采用两种准则。

参考答案：①对称波形设计准则；
②准对称波形准则。

10.问答题简述MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法。

参考答案：①加厚场氧化层的初始厚度，并严格控制随后加工中的腐蚀量。
②在场区注入（或扩散）与衬底同型的杂质，以提高衬底表...

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