简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。_考试资料网

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问答题简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。

参考答案： ①双阱工艺；
②浅槽隔离工艺；
③多晶硅栅结构工艺；
④轻掺杂漏（LDD）工艺；

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1.问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。

参考答案：①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P...

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2.问答题简述CMP技术的优点。

参考答案：①全局平坦化，台阶高度可控制到50Å左右；
②平坦化不同的材料；
③平坦化多层材料；

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3.名词解释化学机械平坦化（CMP）

参考答案：也称为化学机械抛光CMP是通过化学反应和机械研磨相结合的方法对表面起伏的硅片进行平坦化的过程。

4.问答题简述什么是硅化物及其作用。

参考答案：硅化物是在高温下难熔金属（通常是钛Ti、钴Co）与硅反应形成的金属化合物（如TiSi₂、CoSi<...

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5.问答题简述铜互连的优点及采取的工艺措施。

参考答案：优点：①电阻率更低；②电流密度高：抗电迁徙能力好于铝，铜合金中加入Al或Ti进一步增强抗电迁移；③更少的工艺步骤：采用大...

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6.问答题简述电迁移现象及解决方法。

参考答案：当金属线流过大密度的电流时，电子和金属原子的碰撞引起金属原子的移动导致金属原子的消耗和堆积。电迁移现象会造成金属线开路、...

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7.问答题简述铝的结穿刺现象及解决方法。

参考答案：在纯铝和硅的界面加热合金化过程中（450～500℃），硅开始溶解在铝中直到在铝中的浓度达到0.5％，该过程消耗硅并在硅中...

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8.问答题简述铝互连的优缺点。

参考答案：优点：①电阻率低；
②铝的成本低；
③与硅和二氧化硅的粘附性好；
④易于沉积成膜（蒸发、溅...

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9.问答题简述高能离子轰击的内容。

参考答案：①离子反射（能量很小）；
②离子吸附（<10eV），能量转化热能；
③离子注入（>10keV），能量...

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10.问答题简述电镀的优缺点。

参考答案：

优点：非常好的间隙填充能力，成本低、温度低。
缺点：需要导电种子层，控制复杂。