单项选择题零序电流,只有发生()才会出现。

A.相间故障;
B.振荡时;
C.接地故障或非全相运行时;
D.短路。


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你可能感兴趣的试题

1.单项选择题试验电荷在静电场中移动时,电场力所做的功与该试验电荷的()有关。

A.大小及运动的距离
B.大小
C.大小及位移

3.单项选择题半导体中空穴电流是由()。

A.价电子填补空穴所形成的;
B.自由电子填补空穴所形成的;
C.自由电子定价运动所形成的;
D.价电子的定向运动所形成的.

4.单项选择题半导体三极管工作过程中()。

A.发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;
B.发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;
C.发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;
D.发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

6.单项选择题PN结空间电荷区是()。

A.电子和空穴构成;
B.正电荷和负电荷构成;
C.施主离子;
D.施主杂质原子和受主杂质原子构成。

7.单项选择题用万用表测量半导体二极管时,万用表电阻挡应调到()。

A.R×1挡;
B.R×100挡;
C.R×100k挡;
D.R×10挡。

8.单项选择题给二极管加1.5V正向电压,二极管将()。

A.烧坏;
B.不工作;
C.工作正常;
D.完好。

9.单项选择题用万用表检测二极管极性好坏时,应使用万用表的()。

A.电压挡;
B.电流挡;
C.欧姆挡;
D.其他挡。

10.单项选择题三极管工作在放大状态时,基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是()。

A.Ie=Ib+Ic;
B.Ic=Ie+Ib;
C.Ib=Ie+Ie;
D.Ib=Ic-Ic。