本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n...

问答题 本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp（-E_g/2KT）：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：

1.问答题用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因。

2.问答题自发磁化的物理本质是什么？材料具有铁磁性的充要条件是什么？

3.问答题为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n²相等。

4.问答题光通过一块厚度为1mm 的透明Al₂O₃板后强度降低了15%，试计算其吸收和散射系数的总和。

5.问答题一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)²。

6.问答题一热机部件由反应烧结氮化硅制成，其热导率λ=0.184J/（cm.s.℃），最大厚度=120mm.如果表面热传递系数h=0.05J/（cm2.s.℃），假定形状因子S=1，估算可兹应用的热冲击最大允许温差。

7.问答题如果A原子的原子半径为B的两倍，那么在其它条件都是相同的情况下，原子A的电子极化率大约是B的多少倍？

8.问答题计算室温（298K）及高温（1273K）时莫来石瓷的摩尔热容值，并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。

9.问答题根据缺陷化学原理推导（1）ZnO电导率与氧分压的关系。（2）讨论添加Al₂O₃对NiO电导率的影响。

10.问答题金红石（TiO₂）的介电常数是100，求气孔率为10%的一块金红石陶瓷介质的介电常数。