pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志...

单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

A.扩散层质量
B.设计
C.光刻

1.单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A.掩膜版
B.扩散
C.光刻

2.单项选择题反应离子腐蚀是（）。

A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

3.单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

A.高斯
B.余误差
C.指数

4.单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。

A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂

5.单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。

A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％

6.单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。

A.管帽变形
B.镀金层的变形
C.底座变形

7.单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。

A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐

8.单项选择题外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。

A.电性能
B.电阻
C.电感

9.单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。

A.塑料
B.玻璃
C.金属

10.单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。

A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm