塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度...

单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A.准备工具
B.准备模塑料
C.模塑料预热

1.单项选择题在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）

A.焊接电流、焊接电压和电极压力
B.焊接电流、焊接时间和电极压力
C.焊接电流、焊接电压和焊接时间

2.单项选择题厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。

A.降低
B.升高
C.保持不变

3.单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。

A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm

4.单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。

A.热阻
B.阻抗
C.结构参数

5.单项选择题双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。

A.基区宽度
B.外延层厚度
C.表面界面状态

6.单项选择题变容二极管的电容量随（）变化。

A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温

7.单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受

8.填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

9.填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

10.填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。