气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所...

填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

1.填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

2.填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。

3.填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

4.填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

5.填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

6.填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.

7.填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

8.填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

9.填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

10.填空题微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。