问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
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7.单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
8.单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
9.单项选择题反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
10.单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。
A.高斯
B.余误差
C.指数
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