问答题典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?
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6.问答题单晶片切割的质量要求有哪些?
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8.单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
9.单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
A.掩膜版
B.扩散
C.光刻
10.单项选择题反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
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外壳设计包括()设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中间。
题型:单项选择题
反应离子腐蚀是()。
题型:单项选择题
金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是()。
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引线焊接有哪些质量要求?
题型:问答题
简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?
题型:问答题
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题型:问答题
厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能(),从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
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题型:填空题
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题型:单项选择题