问答题典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?

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9.单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

A.掩膜版
B.扩散
C.光刻

10.单项选择题反应离子腐蚀是()。

A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合