问答题典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?

您可能感兴趣的试卷

你可能感兴趣的试题

9.单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

A.掩膜版
B.扩散
C.光刻

10.单项选择题反应离子腐蚀是()。

A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

最新试题

平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的()。压力太大,电阻值下降,对形成焊点不利,焊轮压力太小,则造成接触不良,不但形不成良好点。

题型:单项选择题

器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。

题型:单项选择题

单晶片切割的质量要求有哪些?

题型:问答题

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

题型:填空题

超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠()封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。

题型:单项选择题

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

题型:单项选择题

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。

题型:单项选择题

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

题型:填空题

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。

题型:单项选择题

厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能(),从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。

题型:单项选择题