变容二极管的电容量随（）变化。

单项选择题变容二极管的电容量随（）变化。

A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温

1.单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受

2.填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

3.填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

4.填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。

5.填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

6.填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

7.填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

8.填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.

9.填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

10.填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。