外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾...

填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

1.填空题微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。

2.填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。

3.填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。

4.填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。

5.填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。

6.填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。

7.填空题金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。

8.填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。

9.填空题在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。

10.填空题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。