室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率un=3600c...

问答题室温下，p型半导体中的电子寿命为ι=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V·s）。试求电子的扩散长度。

参考答案：

根据爱因斯坦关系：

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1.问答题500g的Si单晶，掺有4.5*10^-5g的B，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率μ_p=500cm²/（V.S），硅单晶密度为2.33g/cm³，B原子量为10.8。

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2.问答题0.1kg的Ge单晶，掺有3.2*10^-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率μ_n=0.38m²/（V.S），Ge的单晶密度为5.32g/cm³，Sb原子量为121.8。

参考答案：

3.问答题掺有浓度为每立方米为10²²硼原子的硅材料，请计算300K。

参考答案：

4.问答题计算含有施主杂质浓度为N_D=9*10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1*10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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5.问答题 试分别说明：
1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高；
2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。

参考答案：1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而...

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6.问答题计算本征硅在室温时的电阻率。设电子迁移率和空穴迁移率分别为1350cm²/v˙s，和500cm²/v˙s。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍？n_i=1.5×10¹³/cm³。

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7.问答题已知本征锗的电导率在310K时为3.56×10^-2S/cm，在273K时为0.42×10^-2S/cm，一个n型锗样品，在上述两个温度时，其施主杂质浓度N_D=10¹⁵/cm³。计算在上述两个温度n型锗样品的电导率。μ_n=3600cm²/v˙s，μ_p=1700cm²/v˙s。

参考答案：

8.问答题在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度N_a1=10¹⁶10/cm³，硼的电离能E_a1-Ev=0.045eV，铟的电离能E_a2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/v˙s。

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9.问答题 在室温下，高纯锗的电子迁移率μ_n=3900cm²/v˙s，设电子的有效质量为m_n=3×10^-29g，求：
（1）热运动速度平均值
（2）平均自由时间
（3）平均自由路程
（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

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10.问答题 准经典近似下，金属中电子漂移速度为。设ε=ε₀e^iωt，求在频率ω下的金属电导率。

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