A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

A.梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极
B.梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃
D.梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

A.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

A.随着温度的升高，短路电流密度升高，开路电压下降，但光电转换效率下降。
B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D.与晶硅太阳能电池相比，GaAs太阳能电池的禁带宽度较大，所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。

A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅

A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs

A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m

A.光源辐照度为1000W/m
B.测试温度为25℃
C.AM1.0地面太阳光谱辐照度分布
D.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布