简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。

问答题简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。

1.单项选择题电池片分选的原则（）

A、大小
B、电性能
C、外观

2.问答题简述太阳电池发电的基本原理。

3.填空题晶体硅太阳电池表面梳状电极一般选用（）做为材料，背电极的材料一般为镍锡合金，但在丝网印刷工艺中，背电极一般采用银铝合金混合粉末为电极材料，以增强焊接性并形成背电极的欧姆接触。

4.填空题生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）

5.填空题氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

6.填空题在单晶硅表面制作绒面时，常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和（），并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时，可形成金字塔方椎形状，腐蚀后方椎高度一般为3～6µm。

7.填空题工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）

8.填空题晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。

9.填空题目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法（改良西门子法）和（）两种方法。

10.填空题对于晶体硅太阳能电池，环境对开路电压和短路电流有一定影响，其中受温度影响较大的是（），受太阳辐照度影响较大的是（）